Инвентаризация:1953

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 25A, 18V
  • Материал феррулы 187W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 8mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 105 nC @ 18 V
  • 1870 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 7

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 176

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 431

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 299

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 660

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 3841

Top