Инвентаризация:1676

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 53A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 29.5A, 18V
  • Материал феррулы 197W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 8.8mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-3
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +20V, -2V
  • 650 V
  • 48 nC @ 18 V
  • 1643 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 88

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Инвентаризация: 0

Top