Инвентаризация:1960

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 59A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 38.3A, 18V
  • Материал феррулы 189W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 11mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-3
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 63 nC @ 18 V
  • 2131 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 978

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1931

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 120

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 176

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 565

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 240

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 269

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 0

750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 3841

Top