Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 105A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 16.9mOhm @ 58A, 18V
  • Материал феррулы 312W
  • Барьерный тип 4.8V @ 30.8mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +21V, -4V
  • 750 V
  • 170 nC @ 18 V
  • 4580 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

SENSOR CURRENT FLUX 50A AC/DC

Инвентаризация: 801

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 269

SIC MOS TO247-4L 750V

Инвентаризация: 242

750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 417

750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4919

750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 3841

1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4781

Top