Инвентаризация:2379

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 21mOhm @ 55.8A, 15V
  • Материал феррулы 416W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 15.5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +15V, -4V
  • 650 V
  • 188 nC @ 15 V
  • 5011 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

Инвентаризация: 912

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN

Инвентаризация: 38115

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1694

Top