Инвентаризация:2863

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28.8mOhm @ 50A, 15V
  • Материал феррулы 469W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 17.7mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +15V, -4V
  • 1200 V
  • 162 nC @ 15 V
  • 4818 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3

Инвентаризация: 1585

SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3

Инвентаризация: 1564

SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3

Инвентаризация: 1283

SIC 2N-CH 1200V

Инвентаризация: 10

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SIC MOSFET 900V TO247-4L

Инвентаризация: 871

Top