Инвентаризация:1510

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Глубина 20400pF @ 800V
  • Сопротивление при 25°C 6.9mOhm @ 200A, 15V
  • Тип симистора 708nC @ 15V
  • Барьерный тип 3.6V @ 69mA

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

SIC 2N-CH 1200V 182A

Инвентаризация: 44

SIC 2N-CH 1200V

Инвентаризация: 40

SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE

Инвентаризация: 5

MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE

Инвентаризация: 8

MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE

Инвентаризация: 51

SIC 2N-CH 1700V 532A MODULE

Инвентаризация: 1

SIC, MODULE, 16M,1200V, 48 MM, G

Инвентаризация: 49

SIC MODULE 1200V

Инвентаризация: 51

Top