Инвентаризация:1540

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Глубина 13600pF @ 800V
  • Сопротивление при 25°C 10.4mOhm @ 150A, 15V
  • Тип симистора 472nC @ 15V
  • Барьерный тип 3.6V @ 46mA

Сопутствующие товары


SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE

Инвентаризация: 26

SIC 2N-CH 1200V

Инвентаризация: 10

SIC 2N-CH 1200V 182A

Инвентаризация: 44

SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE

Инвентаризация: 5

SIC 2N-CH 1200V 78A MODULE

Инвентаризация: 40

MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE

Инвентаризация: 8

SIC MODULE 1200V

Инвентаризация: 51

SIC 6N-CH 1200V 40A MODULE

Инвентаризация: 68

SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL

Инвентаризация: 20

Top