- Модель продукта NXH003P120M3F2PTNG
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 1.48kW (Tj)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 435A (Tj)
- Глубина 20889pF @ 800V
- Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 200A, 18V
- Тип симистора 1200nC @ 20V
- Барьерный тип 4.4V @ 160mA
- Максимальное переменное напряжение 36-PIM (56.7x62.8)
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 200A
Инвентаризация: 17
SIC 6N-CH 1200V 40A MODULE
Инвентаризация: 68
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Инвентаризация: 30
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Инвентаризация: 8
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Инвентаризация: 32
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 468A MODULE
Инвентаризация: 21
