- Модель продукта NXH003P120M3F2PTHG
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 979W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 350A (Tc)
- Глубина 20889pF @ 800V
- Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 200A, 18V
- Тип симистора 1195nC @ 20V
- Барьерный тип 4.4V @ 160mA
- Максимальное переменное напряжение 36-PIM (56.7x62.8)
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 26
SIC 2N-CH 1200V 450A MODULE
Инвентаризация: 351
SIC 2N-CH 1200V AG-62MMHB
Инвентаризация: 12
SIC 2N-CH 1200V 170A MODULE
Инвентаризация: 9
SIC 2N-CH 1200V 145A MODULE
Инвентаризация: 29
SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Инвентаризация: 18
SIC 2N-CH 700V 241A
Инвентаризация: 10
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Инвентаризация: 20
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Инвентаризация: 32
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Инвентаризация: 0
