- Модель продукта FF4MR12W2M1HB11BPSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V 170A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 170A (Tj)
- Глубина 17600pF @ 800V
- Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 200A, 18V
- Тип симистора 594nC @ 18V
- Барьерный тип 5.15V @ 80mA
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 146A MODULE
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE
Инвентаризация: 5
SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
Инвентаризация: 24
SIC 4N-CH 1200V AG-EASY3B
Инвентаризация: 9
LOW POWER EASY
Инвентаризация: 18
SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Инвентаризация: 18
SIC 2N-CH 1200V 145A MODULE
Инвентаризация: 29
SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Инвентаризация: 18
