- Модель продукта FF4MR20KM1HHPSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1518
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Внутренняя отделка контактов 2000V (2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 280A (Tc)
- Глубина 36100pF @ 1.2kV
- Сопротивление при 25°C 5.3mOhm @ 300A, 18V
- Тип симистора 1170nC @ 18V
- Барьерный тип 5.15V @ 168mA
- Максимальное переменное напряжение AG-62MMHB
Сопутствующие товары
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Инвентаризация: 10
SIC 2N-CH 1200V 145A MODULE
Инвентаризация: 29
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Инвентаризация: 30
SIC 2N-CH 1700V 523A
Инвентаризация: 2
