- Модель продукта DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1501
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 4 N-Channel
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внутренняя отделка контактов 2000V (2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tj)
- Глубина 7240pF @ 1.2kV
- Сопротивление при 25°C 26.5mOhm @ 60A, 18V
- Тип симистора 234nC @ 18V
- Барьерный тип 5.15V @ 34mA
- Максимальное переменное напряжение AG-EASY3B
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SIC 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
Инвентаризация: 24
SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Инвентаризация: 18
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
Инвентаризация: 78
