Инвентаризация:1531

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Смываемый 1800W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 1700V (1.7kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 250A (Tc)
  • Глубина 30000pF @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 66mA
  • Максимальное переменное напряжение Module

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Инвентаризация: 13

SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE

Инвентаризация: 0

SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE

Инвентаризация: 1

SIC 2N-CH 1200V 447A MODULE

Инвентаризация: 4

SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE

Инвентаризация: 4

SIC 2N-CH 1200V

Инвентаризация: 10

SIC 1700V 310A

Инвентаризация: 0

MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B

Инвентаризация: 1

SIC 2N-CH 2000V AG-62MMHB

Инвентаризация: 18

SIC 2N-CH 1700V 676A

Инвентаризация: 0

Top