- Модель продукта BSM180D12P2E002
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 1360W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 204A (Tc)
- Глубина 18000pF @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 35.2mA
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
Инвентаризация: 15
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Инвентаризация: 13
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 26
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 6
SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE
Инвентаризация: 2
SIC 2N-CH 1200V 200A
Инвентаризация: 17
SIC 2N-CH 1200V 182A
Инвентаризация: 44
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Инвентаризация: 32
