- Модель продукта BSM120D12P2C005
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 780W
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Глубина 14000pF @ 10V
- Барьерный тип 2.7V @ 22mA
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
Инвентаризация: 7
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 26
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 6
SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE
Инвентаризация: 2
SIC 2N-CH 1200V
Инвентаризация: 40
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
Инвентаризация: 51
SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE
Инвентаризация: 59
