Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 1260W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 300A (Tc)
• Глубина 14000pF @ 10V
• Барьерный тип 5.6V @ 91mA
• Максимальное переменное напряжение Module