- Модель продукта BSM600D12P3G001
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 2450W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 600A (Tc)
- Глубина 31000pF @ 10V
- Барьерный тип 5.6V @ 182mA
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 4
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 26
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 6
SIC 2N-CH 1200V 291A MODULE
Инвентаризация: 8
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Инвентаризация: 4
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 530A MODULE
Инвентаризация: 7
SIC 2N-CH 1200V 630A
Инвентаризация: 0
