Инвентаризация:1508

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Смываемый 925W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 291A (Tc)
  • Глубина 30000pF @ 10V
  • Барьерный тип 4.8V @ 145.6mA
  • Максимальное переменное напряжение Module

Сопутствующие товары


SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1

Инвентаризация: 0

SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE

Инвентаризация: 0

SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE

Инвентаризация: 26

SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE

Инвентаризация: 4

SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE

Инвентаризация: 2

SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE

Инвентаризация: 4

SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE

Инвентаризация: 0

SIC 1700V 320A MODULE

Инвентаризация: 0

ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,

Инвентаризация: 32

SIC 1700V 310A

Инвентаризация: 5

Top