- Модель продукта BSM300D12P2E001
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 1875W
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 300A (Tc)
- Глубина 35000pF @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 68mA
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
Инвентаризация: 15
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Инвентаризация: 13
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE
Инвентаризация: 4
SIC 2N-CH 1200V 200A
Инвентаризация: 17
MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
Инвентаризация: 8
SIC 2N-CH 1200V 450A MODULE
Инвентаризация: 351
SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE
Инвентаризация: 59
