- Модель продукта BSM080D12P2C008
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 600W
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 80A (Tc)
- Глубина 800pF @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 13.2mA
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
Инвентаризация: 7
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Инвентаризация: 4
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 26
SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE
Инвентаризация: 4
MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
Инвентаризация: 8
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
Инвентаризация: 51
