Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 925W
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 193A (Tc)
• Глубина 6470pF @ 800V
• Сопротивление при 25°C 16mOhm @ 120A, 20V
• Тип симистора 378nC @ 20V
• Барьерный тип 2.6V @ 6mA (Typ)
• Максимальное переменное напряжение Module