- Модель продукта BSM180D12P3C007
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
- Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
- Смываемый 880W
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 180A (Tc)
- Глубина 900pF @ 10V
- Барьерный тип 5.6V @ 50mA
- Максимальное переменное напряжение Module
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
Инвентаризация: 15
1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
Инвентаризация: 7
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Инвентаризация: 13
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
Инвентаризация: 6
SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE
Инвентаризация: 4
SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE
Инвентаризация: 4
MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
Инвентаризация: 8
SIC 2N-CH 1200V 145A MODULE
Инвентаризация: 29
