Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 600A (Tc)
  • Материал феррулы 2460W (Tc)
  • Барьерный тип 5.6V @ 182mA
  • Максимальное переменное напряжение Module
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 28000 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 180A MODULE

Инвентаризация: 10

SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE

Инвентаризация: 1

SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE

Инвентаризация: 31

SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE

Инвентаризация: 26

SICFET N-CH 1200V 400A MODULE

Инвентаризация: 4

SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE

Инвентаризация: 4

PP IHM I

Инвентаризация: 2

IGBT MOD 6500V 800A 8350W

Инвентаризация: 1

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC 2N-CH 1200V 417A

Инвентаризация: 0

Top