- Модель продукта BSM600C12P3G201
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа Module
- Количество витков Chassis Mount
- Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 600A (Tc)
- Материал феррулы 2460W (Tc)
- Барьерный тип 5.6V @ 182mA
- Максимальное переменное напряжение Module
- Шаг Количество +22V, -4V
- 1200 V
- 28000 pF @ 10 V