Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 180A (Tc)
• Материал феррулы 880W (Tc)
• Барьерный тип 5.6V @ 50mA
• Максимальное переменное напряжение Module
• Шаг Количество +22V, -4V
• 1200 V
• 9000 pF @ 10 V