Инвентаризация:1728

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 127A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
  • Материал феррулы 455W (Tc)
  • Барьерный тип 5.2V @ 23.4mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -5V
  • 1200 V
  • 145 nC @ 18 V
  • 4580 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3

Инвентаризация: 1564

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3

Инвентаризация: 968

IGBT GENX4 1200V 85A TO247

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET 900V TO247-4L

Инвентаризация: 871

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Инвентаризация: 317

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1078

Top