- Модель продукта IMW120R014M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1728
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 127A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
- Материал феррулы 455W (Tc)
- Барьерный тип 5.2V @ 23.4mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +20V, -5V
- 1200 V
- 145 nC @ 18 V
- 4580 pF @ 800 V