Инвентаризация:3064

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 115A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 22.3mOhm @ 75A, 15V
  • Материал феррулы 556W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 23mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +15V, -4V
  • 1200 V
  • 207 nC @ 15 V
  • 6085 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 1106

SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3

Инвентаризация: 1283

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7

Инвентаризация: 6482

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

Top