- Модель продукта NTHL022N120M3S
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1786
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 68A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 40A, 18V
- Материал феррулы 352W (Tc)
- Барьерный тип 4.4V @ 20mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 139 nC @ 18 V
- 3130 pF @ 800 V