Инвентаризация:1903

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 103A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 60A, 20V
  • Материал феррулы 535W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -15V
  • 1200 V
  • 203 nC @ 20 V
  • 2890 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 313

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

Инвентаризация: 427

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Инвентаризация: 335

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

Инвентаризация: 413

SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3

Инвентаризация: 350

Top