Инвентаризация:1813

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 102A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 60A, 20V
  • Материал феррулы 510W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -15V
  • 1200 V
  • 220 nC @ 20 V
  • 2943 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3

Инвентаризация: 1564

SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 733

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966