Инвентаризация:1950

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 116A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 60A, 15V
  • Материал феррулы 484W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 900 V
  • 196 nC @ 15 V
  • 4415 pF @ 450 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 313

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 269

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 876

Top