Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 127A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
  • Материал феррулы 455W (Tc)
  • Барьерный тип 5.2V @ 23.4mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-8
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -5V
  • 1200 V
  • 145 nC @ 18 V
  • 4580 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 404

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 313

SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

Инвентаризация: 249

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

Top