Инвентаризация:1749

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 118A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 60A, 15V
  • Материал феррулы 503W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -10V
  • 900 V
  • 196 nC @ 15 V
  • 4415 pF @ 450 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3

Инвентаризация: 403

SICFET N-CH 900V 46A TO247-3

Инвентаризация: 64

SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

Инвентаризация: 282

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1078

Top