Инвентаризация:1782

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 118A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 60A, 15V
  • Материал феррулы 503W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -10V
  • 900 V
  • 196 nC @ 15 V
  • 4415 pF @ 450 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

Инвентаризация: 1035

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

Инвентаризация: 249

SIC MOSFET 900V TO247-4L

Инвентаризация: 871

SICFET N-CH 650V 100A HIP247

Инвентаризация: 0

750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 924

Top