- Модель продукта NTBG020N090SC1
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.8A (Ta), 112A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 60A, 15V
- Материал феррулы 3.7W (Ta), 477W (Tc)
- Барьерный тип 4.3V @ 20mA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество +19V, -10V
- 900 V
- 200 nC @ 15 V
- 4415 pF @ 450 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Инвентаризация: 501
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Инвентаризация: 733
SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Инвентаризация: 595
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Инвентаризация: 450
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Инвентаризация: 1288
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Инвентаризация: 2954
