Инвентаризация:2233

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.6A (Ta), 98A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 60A, 20V
  • Материал феррулы 3.7W (Ta), 468W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -15V
  • 1200 V
  • 220 nC @ 20 V
  • 2943 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

Инвентаризация: 18

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 595

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 1565

Top