Инвентаризация:1518

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 96A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 36mOhm @ 50A, 15V
  • Материал феррулы 459W (Tc)
  • Барьерный тип 2.69V @ 12mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество ±15V
  • 1200 V
  • 155 nC @ 15 V
  • 3901 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7

Инвентаризация: 1432

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 733

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 925

Top