Инвентаризация:1568

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 47A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 63mOhm @ 16A, 18V
  • Материал феррулы 227W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 7.5mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Шаг Количество +18V, -15V
  • 1200 V
  • 46 nC @ 18 V
  • 1527 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1147

1200V 40 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 637

SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7

Инвентаризация: 1432

SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7

Инвентаризация: 2

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263

Инвентаризация: 1902

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247

Инвентаризация: 34

Top