Инвентаризация:2137

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 64A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
  • Материал феррулы 272W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 9.2mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +15V, -4V
  • 1200 V
  • 94 nC @ 15 V
  • 2900 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SENSOR CURRENT HALL 75A 16SOIC

Инвентаризация: 5296

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1147

1200V 32MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1470

1200V 40 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 1520

650V 45 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 475

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7

Инвентаризация: 4919

1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST

Инвентаризация: 1910

Top