Инвентаризация:2647

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 48A
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • 1200 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 967

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 172

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3

Инвентаризация: 229

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1931

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 225

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

Top