- Модель продукта AIMW120R035M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 52A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 46mOhm @ 25A, 18V
- Материал феррулы 228W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 10mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +23V, -7V
- 1200 V
- 59 nC @ 18 V
- 2130 pF @ 800 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
SIC_DISCRETE
Инвентаризация: 1272
SIC_DISCRETE
Инвентаризация: 967
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Инвентаризация: 229
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Инвентаризация: 172
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Инвентаризация: 433
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Инвентаризация: 43
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Инвентаризация: 600
