Инвентаризация:1729

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 52A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 59mOhm @ 20A, 15V
  • Материал феррулы 228W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Шаг Количество +20V, -7V
  • 1200 V
  • 57 nC @ 15 V
  • 2130 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1147

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 172

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 0

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 172

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3

Инвентаризация: 38

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1078

Top