- Модель продукта IMW120R045M1XKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 52A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 59mOhm @ 20A, 15V
- Материал феррулы 228W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 10mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество +20V, -10V
- 1200 V
- 52 nC @ 15 V
- 1900 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Инвентаризация: 0
1200V 40MOHM SIC MOSFET
Инвентаризация: 289
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Инвентаризация: 1648
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Инвентаризация: 236
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Инвентаризация: 592
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Инвентаризация: 365
