- Модель продукта IMW120R030M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3148
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 56A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 25A, 18V
- Материал феррулы 227W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 10mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +23V, -7V
- 1200 V
- 63 nC @ 18 V
- 2120 pF @ 800 V