- Модель продукта IMW120R350M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 455mOhm @ 2A, 18V
- Материал феррулы 60W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +23V, -7V
- 1200 V
- 5.3 nC @ 18 V
- 182 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Инвентаризация: 3172
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Инвентаризация: 1266
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Инвентаризация: 339
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Инвентаризация: 499
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Инвентаризация: 1990
SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Инвентаризация: 75424
