- Модель продукта IMZ120R220M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 220mOhm @ 4A, 18V
- Материал феррулы 75W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 1.6mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-1
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +23V, -7V
- 1200 V
- 8.5 nC @ 18 V
- 289 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Инвентаризация: 3172
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
Инвентаризация: 706
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Инвентаризация: 521
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Инвентаризация: 1266
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Инвентаризация: 141
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Инвентаризация: 5923
