- Модель продукта IMW120R220M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 286mOhm @ 4A, 18V
- Материал феррулы 75W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 1.6mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +23V, -7V
- 1200 V
- 8.5 nC @ 18 V
- 289 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
TERM BLK 2POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Инвентаризация: 53594
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Инвентаризация: 8523
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Инвентаризация: 1525
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Инвентаризация: 68
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Инвентаризация: 988
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Инвентаризация: 251
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Инвентаризация: 261
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Инвентаризация: 339
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Инвентаризация: 335
