Инвентаризация:1751

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 52A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 59mOhm @ 20A, 15V
  • Тип подключения Current Sensing
  • Материал феррулы 228W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-1
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +20V, -10V
  • 1200 V
  • 52 nC @ 15 V
  • 1900 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3

Инвентаризация: 1266

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4

Инвентаризация: 9

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4

Инвентаризация: 592

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 147

MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3

Инвентаризация: 606

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 364

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

Top