Инвентаризация:2092

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 117mOhm @ 8.5A, 18V
  • Материал феррулы 115W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 3.7mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-1
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +23V, -7V
  • 1200 V
  • 21 nC @ 18 V
  • 707 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263

Инвентаризация: 186

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3

Инвентаризация: 420

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4

Инвентаризация: 339

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 7

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top