- Модель продукта IMW120R090M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1920
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 117mOhm @ 8.5A, 18V
- Материал феррулы 115W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 3.7mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +23V, -7V
- 1200 V
- 21 nC @ 18 V
- 707 pF @ 800 V