Инвентаризация:1920

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 117mOhm @ 8.5A, 18V
  • Материал феррулы 115W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 3.7mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +23V, -7V
  • 1200 V
  • 21 nC @ 18 V
  • 707 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1147

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Инвентаризация: 2135

SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3

Инвентаризация: 1732

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Инвентаризация: 521

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3

Инвентаризация: 82

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3

Инвентаризация: 1266

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4

Инвентаризация: 592

Top